![NCV57001DWR2G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-ncv57001dwr2g-9733.jpg)
NCV57001DWR2G
16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
ON SEMICONDUCTOR - NCV57001DWR2G - IGBT-TREIBER, -40 BIS 125°C
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
20 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
Automotive grade
操作温度
-40°C~125°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q100
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Nickel/Gold/Palladium (Ni/Au/Pd)
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
审批机构
UL, VDE
电压-隔离度
1200Vrms
通道数量
1
上升/下降时间(Typ)
10ns 15ns
接口IC类型
BUFFER OR INVERTER BASED IGBT DRIVER
传播延迟(最大延迟差)
90ns, 90ns
共模瞬态抗扰度(最小)
100kV/μs
电压 - 输出电源
0V~24V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NCV57001DWR2G PDF数据手册
- 数据表 :