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NCV5104DR2G

型号:

NCV5104DR2G

封装:

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

数据表:

NCP5104

描述:

IC MOSFET DRIVER LOW SIDE 8SOIC

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

  • 工厂交货时间

    9 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • Half-Bridge

  • 0.8V 2.3V

  • 操作温度

    -40°C~125°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q100

  • 已出版

    2010

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 电压 - 供电

    10V~20V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 电源电压

    15V

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 最大输出电流

    500mA

  • 电源

    15V

  • 输入类型

    Non-Inverting

  • 上升/下降时间(Typ)

    85ns 35ns

  • 信道型

    Synchronous

  • 驱动器数量

    2

  • 闸门类型

    IGBT, N-Channel MOSFET

  • 峰值输出电流(源极,漏极)

    250mA 500mA

  • 高压侧电压-最大值(自举)

    600V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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