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NCS20082DR2G

型号:

NCS20082DR2G

封装:

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

描述:

ON SEMICONDUCTOR NCS20082DR2G Operational Amplifier, 1.2 MHz, 2 Amplifier, 0.4 V/s, 1.8V to 5.5V, SOIC, 8 Pins

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 操作温度

    -40°C~125°C

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    20

  • 输出类型

    Rail-to-Rail

  • 电路数量

    2

  • 工作电源电流

    48μA

  • 压摆率

    0.4V/μs

  • 放大器类型

    General Purpose

  • 共模拒绝率

    55 dB

  • 输入偏正电流

    1pA

  • 电压 - 电源,单/双路(±)

    1.8V~5.5V

  • 每个通道的输出电流

    15mA

  • 输入失调电压(Vos)

    500μV

  • 电压增益

    120dB

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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  • 图片
    产品型号
    品牌
    Package / Case
    Number of Pins
    Number of Circuits
    Slew Rate
    Input Offset Voltage (Vos)
    Common Mode Rejection Ratio
    Operating Supply Current
    RoHS Status
  • NCS20082DR2G

    NCS20082DR2G

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    8

    2

    0.4V/μs

    500 μV

    55 dB

    48 μA

    ROHS3 Compliant

  • LMV932DR2G

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    8

    -

    0.34V/μs

    3 mV

    60 dB

    60 μA

    ROHS3 Compliant

  • TSV632IDT

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    8

    2

    0.34V/μs

    3 mV

    60 dB

    60 μA

    ROHS3 Compliant

  • LMV612MAX/NOPB

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    8

    2

    0.48V/μs

    1 mV

    50 dB

    95 μA

    ROHS3 Compliant

  • TSV632IYDT

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    8

    -

    0.42V/μs

    5.5 mV

    50 dB

    116 μA

    ROHS3 Compliant

NCS20082DR2G PDF数据手册