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NCP5181DR2G

型号:

NCP5181DR2G

封装:

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

数据表:

NCP5181

描述:

IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • Half-Bridge

  • 0.8V 2.3V

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    178mW

  • 电压 - 供电

    10V~20V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    15V

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    NCP5181

  • 引脚数量

    8

  • 输出电压

    620.3V

  • 最大输出电流

    2.2A

  • 电源

    15V

  • 电源电流

    6.5mA

  • 功率耗散

    178mW

  • 输出电流

    2.2A

  • 最大电源电流

    6.5mA

  • 传播延迟

    170 ns

  • 输入类型

    Non-Inverting

  • 接通延迟时间

    170 ns

  • 无卤素

    Halogen Free

  • 上升时间

    60ns

  • 差分输出

    NO

  • 下降时间(典型值)

    40 ns

  • 输入特性

    STANDARD

  • 上升/下降时间(Typ)

    40ns 20ns

  • 接口IC类型

    LINE DRIVER

  • 信道型

    Independent

  • 驱动器数量

    2

  • 闸门类型

    N-Channel MOSFET

  • 峰值输出电流(源极,漏极)

    1.4A 2.2A

  • 高压侧电压-最大值(自举)

    600V

  • 高度

    1.5mm

  • 长度

    5mm

  • 宽度

    4mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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