![NCP5181DR2G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-smda15cdr2g-1945.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Half-Bridge
0.8V 2.3V
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
178mW
电压 - 供电
10V~20V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
15V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NCP5181
引脚数量
8
输出电压
620.3V
最大输出电流
2.2A
电源
15V
电源电流
6.5mA
功率耗散
178mW
输出电流
2.2A
最大电源电流
6.5mA
传播延迟
170 ns
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
170 ns
无卤素
Halogen Free
上升时间
60ns
差分输出
NO
下降时间(典型值)
40 ns
输入特性
STANDARD
上升/下降时间(Typ)
40ns 20ns
接口IC类型
LINE DRIVER
信道型
Independent
驱动器数量
2
闸门类型
N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
1.4A 2.2A
高压侧电压-最大值(自举)
600V
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsChannel TypeNumber of DriversMax Output CurrentOutput CurrentRise TimeSupply VoltageMax Power Dissipation
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NCP5181DR2G
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
Independent
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2.2 A
2.2 A
60 ns
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178 mW
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
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2
2.3 A
1.9 A
60 ns
15 V
625 mW
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
Independent
2
2 A
2 A
10 ns
-
-
-
SOIC
8
-
2
2 A
-
600 ns
12 V
-
NCP5181DR2G PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN封装 :