![N25S818HAS21I](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-smda15cdr2g-1945.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
52 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tube
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
DUAL
功能数量
1
电源电压
1.8V
基本部件号
N25S818HA
引脚数量
8
工作电源电压
1.8V
界面
Parallel, SPI, Serial
内存大小
256Kb 32K x 8
端口的数量
1
电源电流
10mA
时钟频率
16MHz
访问时间
32 ns
内存格式
SRAM
内存接口
SPI
输出特性
3-STATE
无卤素
Halogen Free
内存宽度
8
地址总线宽度
1b
密度
256 kb
待机电流-最大值
5e-7A
I/O类型
SEPARATE
同步/异步
Synchronous
字长
8b
长度
4.9mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
N25S818HAS21I PDF数据手册
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- Rohs 声明 :