![MURB1620CTT4G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-ntsb30u100ctt4g-7613.jpg)
MURB1620CTT4G
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
DIODE ARRAY GP 200V 8A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
2
3W
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SWITCHMODE™
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-65°C
应用
ULTRA FAST RECOVERY POWER
附加功能
FREE WHEELING DIODE
HTS代码
8541.10.00.80
电压 - 额定直流
200V
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
16A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MURB1620CT
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Common Cathode
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
5μA @ 200V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
975mV @ 8A
正向电流
8A
工作温度 - 结点
-65°C~175°C
最大浪涌电流
100A
输出电流-最大值
8A
无卤素
Halogen Free
正向电压
975mV
最大反向电压(DC)
200V
平均整流电流
8A
相位的数量
1
反向恢复时间
35 ns
峰值反向电流
5μA
最大重复反向电压(Vrrm)
200V
峰值非恢复性浪涌电流
100A
反向电压
200V
二极管配置
1 Pair Common Cathode
最大正向浪涌电流(Ifsm)
100A
恢复时间
35 ns
高度
4.83mm
长度
10.29mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌Package / CaseForward VoltageAverage Rectified CurrentReverse Recovery TimeRecovery TimeMoisture Sensitivity Level (MSL)HTS CodeNumber of Terminations
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MURB1620CTT4G
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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975 mV
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8541.10.00.80
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
850 mV
10 A
35 ns
35 ns
1 (Unlimited)
8541.10.00.80
2
MURB1620CTT4G PDF数据手册
- 数据表 :
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- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
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