![MUN5232T1G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-nup2125wtt1g-9487.jpg)
MUN5232T1G
SC-70, SOT-323
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SC-70, SOT-323
表面安装
YES
引脚数
3
50V
1
15
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
202mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MUN52**T
引脚数量
3
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
310mW
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
Halogen Free
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
15 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 1mA, 10mA
电阻基(R1)
4.7 k Ω
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
4.7 k Ω
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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-
MUN5232T1G
SC-70, SOT-323
NPN
50 V
100 mA
15
202 mW
310 mW
500nA
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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50 V
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60
338 mW
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MUN5232T1G PDF数据手册
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