MUN2233T1G
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ON SEMICONDUCTOR - MUN2233T1G - Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 (Ratio)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
表面安装
YES
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型
Surface Mount
引脚数
3
80
1
50V
已出版
2009
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
230mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
额定电流
100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MUN2233
引脚数量
3
最大输出电流
100mA
工作电源电压
50V
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
338mW
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
Halogen Free
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
80 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
250mV @ 300μA, 10mA
最大击穿电压
50V
电阻基(R1)
4.7 k Ω
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
47 k Ω
宽度
1.5mm
长度
2.9mm
高度
1.09mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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MUN2233T1G
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NPN
50 V
100 mA
250 mV
80
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50 V
100 mA
250 mV
80
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