![MUN2111T1](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-sm05t1g-6211.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3
50V
1
35
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2006
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn80Pb20)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
电压 - 额定直流
-50V
最大功率耗散
230mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
-100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
Not Qualified
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
230mW
晶体管应用
SWITCHING
集电极发射器电压(VCEO)
250mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)
35
连续集电极电流
100mA
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CasePolarityCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrenthFE MinMax Power DissipationPower Dissipation
-
MUN2111T1
Surface Mount
TO-236-3
PNP
50 V
100 mA
35
230 mW
230 mW
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PNP
50 V
100 mA
35
230 mW
230 mW
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PNP
50 V
100 mA
80
230 mW
230 mW
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PNP
50 V
100 mA
3
230 mW
230 mW
-
Surface Mount
TO-236-3
PNP
50 V
100 mA
68
200 mW
200 mW
MUN2111T1 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- 到达声明 :