MMUN2134LT1G
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ON SEMICONDUCTOR MMUN2134LT1G. TRANSISTOR, PRE-BIASED, PNP, 50V, 22/47KOHM, SOT-23
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
50V
1
80
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 0.47
电压 - 额定直流
-50V
最大功率耗散
246mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
额定电流
-100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MMUN21**L
引脚数量
3
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
246mW
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
Halogen Free
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
80 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
250mV @ 1mA, 10mA
最大击穿电压
50V
电阻基(R1)
22 k Ω
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
47 k Ω
高度
1.01mm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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MMUN2134LT1G
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PNP
50 V
100 mA
250 mV
80
246 mW
246 mW
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PNP
50 V
100 mA
250 mV
80
246 mW
246 mW
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PNP
50 V
100 mA
250 mV
80
246 mW
246 mW
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PNP
50 V
100 mA
250 mV
60
246 mW
246 mW
SOT-23-3
PNP
50 V
100 mA
-
68
200 mW
-
MMUN2134LT1G PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :