![MMBZ5230ELT3G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-nup2105lt1g-6415.jpg)
MMBZ5230ELT3G
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DIODE ZENER 4.7V 225MW SOT23-3
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
1
操作温度
-55°C~150°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
容差
±5%
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.10.00.50
额定功率
225mW
电压 - 额定直流
4.7V
最大功率耗散
225mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
3
资历状况
Not Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
阻抗
19Ohm
元素配置
Single
二极管类型
ZENER DIODE
反向泄漏电流@ Vr
5μA @ 2V
功率耗散
300mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
900mV @ 10mA
最大反向漏电电流
5μA
阻抗-最大
19Ohm
测试电流
20mA
参考电压
4.7V
齐纳电压
4.7V
最大电压允差
5.11%
电压允差
5%
齐纳电流
10mA
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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MMBZ5230ELT3G
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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±5%
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350 mW
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5.1 V
±5%
225 mW
300 mW
17 Ω
5 μA
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