![MMBZ18VALT1G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-nup2105lt1g-6415.jpg)
MMBZ18VALT1G
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TVS DIODE 14.5V 25V SOT23-3
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
17.1V
2
14.5V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
应用
General Purpose
HTS代码
8541.10.00.50
额定功率
40W
电压 - 额定直流
18V
最大功率耗散
225mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
1.3mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MMBZ*A
引脚数量
3
工作电源电压
14.5V
工作电压
14.5V
泄漏电流
50nA
元素配置
Common Anode
功率耗散
40W
电源线保护
No
最大反向漏电电流
50nA
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
25V
箝位电压
25V
峰值脉冲电流
1.6A
最大浪涌电流
1.6A
峰值脉冲功率
40W
方向
Unidirectional
测试电流
1mA
单向通道
2
反向击穿电压
17.1V
最大击穿电压
18.9V
ESD保护
Yes
高度
1.01mm
长度
2.9mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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MMBZ18VALT1G
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
225 mW
40 W
50 nA
ROHS3 Compliant
-55°C ~ 150°C (TJ)
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MMBZ18VALT1G PDF数据手册
- 数据表 :
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