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MLP1N06CLG

型号:

MLP1N06CLG

封装:

TO-220-3

数据表:

MLP1N06CL(G)

描述:

IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 1

  • 4 ns

  • 操作温度

    -50°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    SMARTDISCRETES™

  • 已出版

    2010

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    LOGIC LEVEL COMPATIBLE

  • 电压 - 额定直流

    62V

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    1A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    MLP1N06

  • 引脚数量

    3

  • 输出的数量

    1

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 输出类型

    N-Channel

  • 界面

    On/Off

  • 元素配置

    Single

  • 输出配置

    Low Side

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    40W

  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)

    Not Required

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 输入类型

    Non-Inverting

  • 开关类型

    General Purpose

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 上升时间

    4ns

  • 下降时间(典型值)

    3 ns

  • 连续放电电流(ID)

    1A

  • 比率-输入:输出

    1:1

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10V

  • 电压-负荷

    59V Max

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    2.75A

  • 漏源击穿电压

    59V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    80 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • Rds On(Typ)

    590m Ω

  • 漏源电阻

    750mOhm

  • RoHS状态

    RoHS Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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