
MLD2N06CLT4G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
1
5 ns
操作温度
-50°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SMARTDISCRETES™
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
400MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, OVERVOLTAGE CLAMPED PROTECTION
电压 - 额定直流
62V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
2A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MLD2N06
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
输出的数量
1
资历状况
Not Qualified
输出类型
N-Channel
界面
On/Off
元素配置
Single
输出配置
Low Side
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
40W
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
Not Required
箱体转运
DRAIN
输入类型
Non-Inverting
开关类型
General Purpose
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
3ns
漏源电压 (Vdss)
62V
下降时间(典型值)
3 ns
连续放电电流(ID)
2A
比率-输入:输出
1:1
栅极至源极电压(Vgs)
10V
电压-负荷
58V Max
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
漏源击穿电压
58V
雪崩能量等级(Eas)
80 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Rds On(Typ)
300m Ω
漏源电阻
400mOhm
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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