MCR12DSNT4
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Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier - SCR, DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252, 2500-REEL
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
2
PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3
SMALL OUTLINE
0.01 mA
1
PLASTIC/EPOXY
369C
-40 °C
30
110 °C
No
MCR12DSNT4
RECTANGULAR
ON Semiconductor
1
Obsolete
ON SEMICONDUCTOR
5.13
TO-252
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.30.00.80
子类别
Silicon Controlled Rectifiers
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
ON Semiconductor
配置
SINGLE
箱体转运
ANODE
触发装置类型
SCR
重复峰值关态电压
800 V
非重复Pk在态电流
100 A
断态电压临界上升率-最小值
2 V/us
重复峰值反向电压
800 V
均方根通态电流-最大值
12 A
保持电流-最大
6 mA
直流栅极触发电流(最大)
0.2 mA