![MC33201DG](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-smda15cdr2g-1945.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
2 Weeks
包装/外壳
SOIC
表面安装
YES
引脚数
8
包装
Tube
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
105°C
最小工作温度
-40°C
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
5V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
工作电源电压
6V
电源
5V
温度等级
INDUSTRIAL
电路数量
1
最大电源电压
12V
最小电源电压
1.8V
工作电源电流
900μA
电源电流
900μA
输出电流
80mA
压摆率
1 V/μs
建筑学
VOLTAGE-FEEDBACK
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
共模拒绝率
60 dB
无卤素
Halogen Free
每个通道的输出电流
80mA
输入失调电压(Vos)
6mV
带宽
2.2MHz
增益带宽积
2.2MHz
统一增益 BW-(标准值)
2200 kHz
电压增益
109.54dB
平均偏置电流-最大值 (IIB)
0.25μA
电源抑制比
66.02dB
低偏移
NO
频率补偿
YES
最大双电源电压
6V
低偏压
NO
微功率
NO
最小双电源电压
900mV
最大偏置电流 (IIB) @25C
0.2μA
可编程电源
NO
输入偏置电流
200nA
标称增益带宽积
2.2MHz
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsNumber of CircuitsSlew RateGain Bandwidth ProductInput Offset Voltage (Vos)Power Supply Rejection Ratio (PSRR)Common Mode Rejection RatioMin Dual Supply VoltageMin Supply VoltageSupply VoltageMax Dual Supply VoltageMax Supply Voltage
-
MC33201DG
SOIC
8
1
1 V/μs
2.2 MHz
6 mV
66.02 dB
60 dB
900 mV
1.8 V
5 V
6 V
12 V
-
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
-
1V/μs
-
6 mV
66.02 dB
60 dB
-
-
5 V
-
-
-
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
-
1V/μs
-
13 mV
66.02 dB
60 dB
-
-
5 V
-
-
-
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
-
1V/μs
-
13 mV
66.02 dB
60 dB
-
-
5 V
-
-
-
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
-
0.9V/μs
2MHz
3 mV
70 dB
70 dB
-
-
5 V
-
-
MC33201DG PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :