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MC33153DR2G

型号:

MC33153DR2G

封装:

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

数据表:

MC33153

描述:

ON SEMICONDUCTOR MC33153DR2G. IGBT GATE DRIVER, 2A, SOIC-8

数量:

价格梯度

数量

单价

总价

  • 1

    ¥7.205991

    ¥7.21

  • 10

    ¥6.798105

    ¥67.98

  • 100

    ¥6.413307

    ¥641.33

  • 500

    ¥6.050289

    ¥3,025.14

  • 1000

    ¥5.707820

    ¥5,707.82

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

  • 工厂交货时间

    9 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • Low-Side

  • 1.2V 3.2V

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    1998

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 电压 - 供电

    11V~20V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    15V

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    MC33153

  • 引脚数量

    8

  • 输出的数量

    1

  • 最大输出电流

    2A

  • 电源电流

    20mA

  • 输入类型

    Inverting

  • 无卤素

    Halogen Free

  • 上升/下降时间(Typ)

    17ns 17ns

  • 接口IC类型

    BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER

  • 信道型

    Single

  • 接通时间

    0.3 µs

  • 闸门类型

    IGBT, N-Channel MOSFET

  • 峰值输出电流(源极,漏极)

    1A 2A

  • 关断时间

    0.3 µs

  • 内置保护器

    OVER CURRENT; OVER VOLTAGE

  • 输出电流流向

    SINK

  • 长度

    4.9mm

  • 宽度

    3.9mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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