MC33151VDR2G
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
5 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Low-Side
0.8V 2.6V
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
560mW
电压 - 供电
6.5V~18V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
功能数量
2
电源电压
12V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MC33151
引脚数量
8
最大输出电流
1.5A
工作电源电压
12V
电源电流
10.5mA
功率耗散
560mW
输出电流
1.5A
传播延迟
100 ns
输入类型
Inverting
接通延迟时间
100 ps
无卤素
Halogen Free
上升时间
31ns
下降时间（典型值）
32 ns
上升/下降时间(Typ)
31ns 32ns
接口IC类型
BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
信道型
Independent
驱动器数量
2
接通时间
0.1 μs
输出峰值电流限制-名
1.5A
闸门类型
N-Channel MOSFET
峰值输出电流（源极，漏极）
1.5A 1.5A
高边驱动器
NO
关断时间
0.1 μs
长度
4.9mm
座位高度(最大)
1.75mm
宽度
3.9mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsNumber of DriversMax Output CurrentOutput CurrentRise TimeSupply VoltageMax Power Dissipation
MC33151VDR2G
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
2
1.5 A
1.5 A
31 ns
12 V
560 mW
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
-
1.5 A
1.5 A
30 ns
-
470 mW
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
-
1.5 A
-
31 ns
12 V
560 mW
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
2
1.5 A
-
31 ns
12 V
560 mW
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
2
1.5 A
-
31 ns
12 V
560 mW
MC33151VDR2G PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN封装 :
- Rohs 声明 :