![MBD770DWT1G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-smf05ct1g-6409.jpg)
MBD770DWT1G
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Schottky Diodes & Rectifiers 70V 120mW Dual Isolated
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
工厂交货时间
2 Weeks
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装
YES
引脚数
6
二极管元件材料
SILICON
2
380mW
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
70V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
90mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MBD770
引脚数量
6
参考标准
AEC-Q101
最大额定电流
100mA
元素配置
Dual
二极管类型
Schottky - 2 Independent
功率耗散
120mW
正向电流
100mA
最大反向漏电电流
200nA
无卤素
Halogen Free
正向电压
1V
峰值反向电流
200nA
最大重复反向电压(Vrrm)
70V
电容@Vr, F
1pF @ 20V 1MHz
最大正向浪涌电流(Ifsm)
1A
频带
ULTRA HIGH FREQUENCY
二极管电容-最大值
1pF
高度
1mm
长度
2.2mm
宽度
1.35mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌Package / CaseForward VoltageForward CurrentMax Reverse Leakage CurrentPublishedTime@Peak Reflow Temperature-Max (s)WidthLead Free
-
MBD770DWT1G
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
1 V
100 mA
200 nA
2009
40
1.35 mm
Lead Free
-
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
1 V
200 mA
2 μA
2009
40
1.35 mm
Lead Free
MBD770DWT1G PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :