
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
1 Week
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
安装类型
Surface Mount
表面安装
YES
供应商器件包装
TSOT-23-6
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
4.3
Non-Compliant
3000
onsemi
onsemi
Active
1.6W (Ta)
厂商
onsemi
4.5V, 10V
4.3A (Ta)
FDC5661
Tape & Reel (TR)
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
SMALL OUTLINE
1
PLASTIC/EPOXY
-55 °C
NOT SPECIFIED
150 °C
Yes
FDC5661N
17.6 ns
RECTANGULAR
1
Active
ON SEMICONDUCTOR
36 ns
5.73
4.3 A
包装
MouseReel
系列
PowerTrench®
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
子类别
MOSFETs
技术
MOSFET (Metal Oxide)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.6
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
47mOhm @ 4.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
763 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
60 V
Vgs(最大值)
±20V
极性/通道类型
N-CHANNEL
产品类别
MOSFET
JEDEC-95代码
MO-193AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4.3 A
漏极-源极导通最大电阻
0.047 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
81 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.6 W
场效应管特性
-
反馈上限-最大值 (Crss)
36 pF
环境耗散-最大值
1.6 W
产品类别
MOSFET