工厂交货时间

1 Week

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

安装类型

Surface Mount

表面安装

YES

供应商器件包装

TSOT-23-6

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

4.3

Non-Compliant

3000

onsemi

onsemi

Active

1.6W (Ta)

厂商

onsemi

4.5V, 10V

4.3A (Ta)

FDC5661

Tape & Reel (TR)

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

SMALL OUTLINE

1

PLASTIC/EPOXY

-55 °C

NOT SPECIFIED

150 °C

Yes

FDC5661N

17.6 ns

RECTANGULAR

1

Active

ON SEMICONDUCTOR

36 ns

5.73

4.3 A

包装

MouseReel

系列

PowerTrench®

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

子类别

MOSFETs

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

1.6

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

47mOhm @ 4.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

763 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

19 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

JEDEC-95代码

MO-193AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.3 A

漏极-源极导通最大电阻

0.047 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

81 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.6 W

场效应管特性

-

反馈上限-最大值 (Crss)

36 pF

环境耗散-最大值

1.6 W

产品类别

MOSFET