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FDC5661N

型号:

FDC5661N

封装:

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

描述:

Power Field-Effect Transistor

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    1 Week

  • 包装/外壳

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    TSOT-23-6

  • 终端数量

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 4.3

  • Non-Compliant

  • 3000

  • onsemi

  • onsemi

  • Active

  • 1.6W (Ta)

  • 厂商

    onsemi

  • 4.5V, 10V

  • 4.3A (Ta)

  • FDC5661

  • Tape & Reel (TR)

  • SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

  • SMALL OUTLINE

  • 1

  • PLASTIC/EPOXY

  • -55 °C

  • NOT SPECIFIED

  • 150 °C

  • Yes

  • FDC5661N

  • 17.6 ns

  • RECTANGULAR

  • 1

  • Active

  • ON SEMICONDUCTOR

  • 36 ns

  • 5.73

  • 4.3 A

  • 包装

    MouseReel

  • 系列

    PowerTrench®

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 子类别

    MOSFETs

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    compliant

  • 参考标准

    AEC-Q101

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G6

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    1.6

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    47mOhm @ 4.3A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    763 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    19 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 产品类别

    MOSFET

  • JEDEC-95代码

    MO-193AA

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    4.3 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.047 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    20 A

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    81 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    1.6 W

  • 场效应管特性

    -

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    36 pF

  • 环境耗散-最大值

    1.6 W

  • 产品类别

    MOSFET

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  • 数据表 :