![BZX84C9V1LT1G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-nup2105lt1g-6415.jpg)
BZX84C9V1LT1G
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT23-3
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
材料
Plastic
1
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2001
容差
±5%
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
UL RECOGNIZED
HTS代码
8541.10.00.50
额定功率
225mW
电压 - 额定直流
9.1V
最大功率耗散
225mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BZX84C9V1
引脚数量
3
工作电压
9.1V
极性
UNIDIRECTIONAL
阻抗
15Ohm
元素配置
Single
二极管类型
ZENER DIODE
反向泄漏电流@ Vr
500nA @ 6V
功率耗散
300mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
900mV @ 10mA
最大反向漏电电流
500nA
阻抗-最大
15Ohm
测试电流
5mA
参考电压
9.1V
正向电压
900mV
齐纳电压
9.1V
最大电压允差
6.08%
峰值反向电流
500nA
电压允差
6%
ESD保护
Yes
齐纳电流
10mA
高度
940μm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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BZX84C9V1LT1G
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
9.1 V
±5%
225 mW
300 mW
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8.2 V
±5%
225 mW
300 mW
15 Ω
700 nA
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
9.1 V
±5%
350 mW
350 mW
10 Ω
3 μA
900 mV
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
7.5 V
±5%
225 mW
300 mW
15 Ω
1 μA
900 mV
-
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
9.1 V
±5%
225 mW
300 mW
15 Ω
500 nA
900 mV
BZX84C9V1LT1G PDF数据手册
- 数据表 : BZX84(B,C)xzxLT1G, SZBZX84(B,C)xzxLT1G BZX84C9V1LT1G-ON-Semiconductor-datasheet-6396728.pdf BZX84C9V1LT1G-ON-Semiconductor-datasheet-78758887.pdf BZX84C9V1LT1G-ON-Semiconductor-datasheet-153443.pdf BZX84C9V1LT1G-ON-Semiconductor-datasheet-34436524.pdf BZX84C9V1LT1G-ON-Semiconductor-datasheet-33006785.pdf BZX84C9V1LT1G-ON-Semiconductor-datasheet-14050930.pdf
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