![1PMT33AT3G](https://res.utmel.com/Images/category/Kits.png)
1PMT33AT3G
-
200 Watt Powermite? Transient Voltage Suppressor, 33 V Unidir, POWERMITE, 12000-REEL
规格参数
- 类型参数全选
触点镀层
Tin
表面安装
YES
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
36.7 V
33 V
Compliant
ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 457-04, POWERMITE, 2 PIN
SMALL OUTLINE
1
PLASTIC/EPOXY
457-04
-55 °C
40
33 V
150 °C
Yes
1PMT33AT3G
0.5 W
SQUARE
ON Semiconductor
1
Transferred
ON SEMICONDUCTOR
5.68
DO-216AA
包装
Tape and Reel
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Zener
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Voltage Reference Diodes
技术
ZENER
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
2.05 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
2
JESD-30代码
S-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
ON Semiconductor
工作电源电压
33 V
工作电压
33 V
极性
Unidirectional
配置
SINGLE
通道数量
1
泄漏电流
1 µA
元素配置
Single
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
箱体转运
CATHODE
电源线保护
No
最大反向漏电电流
1 µA
箝位电压
53.3 V
峰值脉冲电流
3.8 A
最大浪涌电流
3.8 A
峰值脉冲功率
1 kW
方向
Unidirectional
无卤素
Halogen Free
测试电流
1 mA
最大电压允差
5%
Rep Pk反向电压-最大值
33 V
JEDEC-95代码
DO-216AA
工作测试电流
1 mA
最大非代表峰值转速功率Dis
200 W
ESD保护
Yes
单向通道数
1
击穿电压-最小值
36.7 V
击穿电压-最大值
40.6 V
最小击穿电压
36.7 V
宽度
2.18 mm
高度
1.15 mm
长度
2.18 mm
辐射硬化
No
无铅
Lead Free