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1PMT33AT3G

型号:

1PMT33AT3G

封装:

-

描述:

200 Watt Powermite? Transient Voltage Suppressor, 33 V Unidir, POWERMITE, 12000-REEL

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 触点镀层

    Tin

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    2

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • 36.7 V

  • 33 V

  • Compliant

  • ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 457-04, POWERMITE, 2 PIN

  • SMALL OUTLINE

  • 1

  • PLASTIC/EPOXY

  • 457-04

  • -55 °C

  • 40

  • 33 V

  • 150 °C

  • Yes

  • 1PMT33AT3G

  • 0.5 W

  • SQUARE

  • ON Semiconductor

  • 1

  • Transferred

  • ON SEMICONDUCTOR

  • 5.68

  • DO-216AA

  • 包装

    Tape and Reel

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    Yes

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 组成

    Zener

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 子类别

    Voltage Reference Diodes

  • 技术

    ZENER

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 深度

    2.05 mm

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    S-PSSO-G2

  • 资历状况

    Not Qualified

  • ON Semiconductor

  • 工作电源电压

    33 V

  • 工作电压

    33 V

  • 极性

    Unidirectional

  • 配置

    SINGLE

  • 通道数量

    1

  • 泄漏电流

    1 µA

  • 元素配置

    Single

  • 二极管类型

    TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

  • 箱体转运

    CATHODE

  • 电源线保护

    No

  • 最大反向漏电电流

    1 µA

  • 箝位电压

    53.3 V

  • 峰值脉冲电流

    3.8 A

  • 最大浪涌电流

    3.8 A

  • 峰值脉冲功率

    1 kW

  • 方向

    Unidirectional

  • 无卤素

    Halogen Free

  • 测试电流

    1 mA

  • 最大电压允差

    5%

  • Rep Pk反向电压-最大值

    33 V

  • JEDEC-95代码

    DO-216AA

  • 工作测试电流

    1 mA

  • 最大非代表峰值转速功率Dis

    200 W

  • ESD保护

    Yes

  • 单向通道数

    1

  • 击穿电压-最小值

    36.7 V

  • 击穿电压-最大值

    40.6 V

  • 最小击穿电压

    36.7 V

  • 宽度

    2.18 mm

  • 高度

    1.15 mm

  • 长度

    2.18 mm

  • 辐射硬化

    No

  • 无铅

    Lead Free

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