![1N5995B](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-bzx79c5v1-0895.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
DO-204AH, DO-35, Axial
引脚数
2
质量
80g
二极管元件材料
SILICON
1
操作温度
-65°C~200°C
包装
Bulk
容差
±5%
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.10.00.50
额定功率
500mW
电压 - 额定直流
6.2V
最大功率耗散
500mW
终端形式
WIRE
基本部件号
1N5995
引脚数量
2
资历状况
Not Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
阻抗
10Ohm
元素配置
Single
二极管类型
ZENER DIODE
反向泄漏电流@ Vr
1μA @ 4V
功率耗散
500mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2V @ 200mA
箱体转运
ISOLATED
最大反向漏电电流
1μA
阻抗-最大
10Ohm
测试电流
5mA
参考电压
6.2V
齐纳电压
6.2V
最大电压允差
5%
电压允差
5%
齐纳电流
81mA
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountZener VoltageToleranceMax Power DissipationPower DissipationImpedanceMax Reverse Leakage CurrentDiode Type
-
1N5995B
Through Hole
6.2 V
±5%
500 mW
500 mW
10 Ω
1 μA
ZENER DIODE
-
Through Hole
6.2 V
±5%
500 mW
500 mW
10 Ω
3 μA
ZENER DIODE
-
Through Hole
6.2 V
±5%
500 mW
500 mW
10 Ω
100 nA
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-
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6.2 V
±5%
500 mW
500 mW
10 Ω
100 nA
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6.2 V
±5%
500 mW
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3 μA
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1N5995B PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 设计/规格 :
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