![1N5356BG](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-p6ke33arl-9208.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
T-18, Axial
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
1
操作温度
-65°C~200°C
包装
Bulk
已出版
2008
容差
±5%
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.10.00.50
额定功率
5W
电压 - 额定直流
19V
最大功率耗散
5W
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
1N5356
引脚数量
2
资历状况
Not Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
阻抗
3Ohm
元素配置
Single
二极管类型
ZENER DIODE
反向泄漏电流@ Vr
500nA @ 14.4V
功率耗散
5W
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2V @ 1A
箱体转运
ISOLATED
最大反向漏电电流
500nA
阻抗-最大
3Ohm
测试电流
65mA
参考电压
19V
齐纳电压
19V
最大电压允差
5%
电压允差
5%
齐纳电流
250mA
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseZener VoltageToleranceMax Power DissipationPower DissipationImpedanceMax Reverse Leakage Current
-
1N5356BG
Through Hole
T-18, Axial
19 V
±5%
5 W
5 W
3 Ω
500 nA
-
Through Hole
T-18, Axial
17 V
±5%
5 W
5 W
2.5 Ω
500 nA
-
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17 V
±5%
5 W
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±5%
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1N5356BG PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 设计/规格 :
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