1N5245B
DO-204AH, DO-35, Axial
ON SEMICONDUCTOR - 1N5245B - ZENER DIODE, 500mW, 15V, DO-35
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
18 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
DO-204AH, DO-35, Axial
引脚数
2
供应商器件包装
DO-35
质量
80g
15V
操作温度
-65°C~200°C
包装
Bulk
已出版
2016
容差
±5%
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
200°C
最小工作温度
-65°C
额定功率
500mW
电压 - 额定直流
15V
最大功率耗散
500mW
基本部件号
1N5245
工作电压
15V
阻抗
16Ohm
元素配置
Single
反向泄漏电流@ Vr
100nA @ 11V
功率耗散
500mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2V @ 200mA
功率 - 最大
500mW
最大反向漏电电流
100nA
阻抗-最大
16Ohms
测试电流
8.5mA
正向电压
1.2V
电压 - 齐纳（标准值）（Vz）
15V
齐纳电压
15V
峰值反向电流
100nA
电压允差
5%
ESD保护
No
齐纳电流
8.5mA
高度
6.35mm
长度
6.35mm
宽度
6.35mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountZener VoltageToleranceMax Power DissipationPower DissipationImpedanceMax Reverse Leakage CurrentForward Voltage
1N5245B
Through Hole
15 V
±5%
500 mW
500 mW
16 Ω
100 nA
1.2 V
Through Hole
14 V
±5%
500 mW
500 mW
15 Ω
100 nA
1.2 V
Through Hole
15 V
±5%
500 mW
500 mW
16 Ω
100 nA
1.2 V
Through Hole
17 V
±5%
500 mW
500 mW
19 Ω
100 nA
1.2 V
Through Hole
15 V
±5%
500 mW
500 mW
16 Ω
100 nA
-
1N5245B PDF数据手册
- 数据表 : 1N5221B - 63B 1N5245B-ON-Semiconductor-datasheet-104525060.pdf 1N5245B-Fairchild-Semiconductor-datasheet-10285266.pdf 1N5245B-Fairchild-datasheet-870.pdf 1N5245B-Fairchild-Semiconductor-datasheet-8838809.pdf 1N5245B-ON-Semiconductor-datasheet-86681950.pdf 1N5245B-Fairchild-Semiconductor-datasheet-14039593.pdf
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :
- 技术图纸 :
- 到达声明 :