![1N5235BTR](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-bzx79c5v1-0895.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
18 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
DO-204AH, DO-35, Axial
引脚数
2
质量
80g
二极管元件材料
SILICON
1
操作温度
-65°C~200°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
容差
±5%
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.50
额定功率
500mW
电压 - 额定直流
6.8V
最大功率耗散
500mW
终端形式
WIRE
基本部件号
1N5235
工作电压
6.8V
极性
UNIDIRECTIONAL
阻抗
5Ohm
元素配置
Single
二极管类型
ZENER DIODE
反向泄漏电流@ Vr
3μA @ 5V
功率耗散
500mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2V @ 200mA
箱体转运
ISOLATED
最大反向漏电电流
3μA
阻抗-最大
5Ohm
测试电流
20mA
参考电压
6.8V
正向电压
1.2V
齐纳电压
6.8V
最大电压允差
5%
峰值反向电流
3μA
电压允差
5%
齐纳电流
20mA
直径
1.91mm
高度
6.35mm
长度
4.56mm
宽度
6.35mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountZener VoltageToleranceMax Power DissipationPower DissipationImpedanceMax Reverse Leakage CurrentForward Voltage
-
1N5235BTR
Through Hole
6.8 V
±5%
500 mW
500 mW
5 Ω
3 μA
1.2 V
-
Through Hole
7.5 V
±5%
500 mW
500 mW
6 Ω
3 μA
1.2 V
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Through Hole
6.8 V
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500 mW
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7.5 V
±5%
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1.2 V
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Through Hole
6.8 V
±5%
500 mW
500 mW
5 Ω
3 μA
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1N5235BTR PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :