![1N5221B](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-bzx79c5v1-0895.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
18 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
DO-204AH, DO-35, Axial
引脚数
2
供应商器件包装
DO-35
质量
80g
2.4V
操作温度
-65°C~200°C
包装
Bulk
已出版
2016
容差
±5%
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
Axial
最高工作温度
200°C
最小工作温度
-65°C
额定功率
500mW
电压 - 额定直流
2.4V
最大功率耗散
500mW
基本部件号
1N5221
工作电压
2.4V
阻抗
30Ohm
元素配置
Single
反向泄漏电流@ Vr
100μA @ 1V
功率耗散
500mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2V @ 200mA
功率 - 最大
500mW
最大反向漏电电流
100μA
阻抗-最大
30Ohms
测试电流
20mA
正向电压
1.2V
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
2.4V
齐纳电压
2.4V
峰值反向电流
100μA
电压允差
5%
ESD保护
No
齐纳电流
20mA
高度
1.91mm
长度
4.56mm
宽度
1.91mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountZener VoltageToleranceMax Power DissipationPower DissipationImpedanceMax Reverse Leakage CurrentForward Voltage
-
1N5221B
Through Hole
2.4 V
±5%
500 mW
500 mW
30 Ω
100 μA
1.2 V
-
Through Hole
2.7 V
±5%
500 mW
500 mW
30 Ω
75 μA
1.2 V
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Through Hole
2.5 V
±5%
500 mW
500 mW
30 Ω
100 μA
1.2 V
-
Through Hole
2.4 V
±5%
500 mW
500 mW
30 Ω
100 μA
-
1N5221B PDF数据手册
- 数据表 : 1N5221B - 63B 1N5221B-ON-Semiconductor-datasheet-104525060.pdf 1N5221B-ON-Semiconductor-datasheet-17172634.pdf 1N5221B-Fairchild-datasheet-870.pdf 1N5221B-Fairchild-datasheet-121961.pdf 1N5221B-Fairchild-Semiconductor-datasheet-8838809.pdf 1N5221B-Fairchild-Semiconductor-datasheet-65849872.pdf 1N5221B-Fairchild-datasheet-7274651.pdf 1N5221B-Fairchild-Semiconductor-datasheet-14039593.pdf
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :
- 到达声明 :