EE-SG3-B
PCB Mount
OMRON ELECTRONIC COMPONENTS EE-SG3-B Transmissive Photo Interrupter, Phototransistor, Through Hole, 3.6 mm, 50 mA, 4 V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
包装/外壳
PCB Mount
安装类型
Through Hole
底架
PCB, Through Hole
引脚数
4
1
20mA
30V
已出版
2002
包装
Bulk
操作温度
-25°C~85°C
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
Solder
类型
Unamplified
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-25°C
最大功率耗散
100mW
输出电压
30V
通道数量
1
输出配置
Phototransistor
功率耗散
100mW
正向电流
50mA
回应时间
4μs, 4μs
上升时间
4μs
正向电压
1.2V
下降时间（典型值）
4 μs
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
20mA
感应距离
0.142 (3.6mm)
电压 - 集射极击穿（最大值）
30V
反向击穿电压
4V
感测方法
Through-Beam
最大直流驱动电流（If）
50mA
输入电流
30mA
反向电压(直流电)
4V
宽度
6.35mm
长度
25.4mm
高度
11.7mm
RoHS状态
RoHS Compliant
达到SVHC
Unknown
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Number of PinsMountSensing DistanceWavelengthRise TimeCollector Emitter Breakdown VoltageVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max)Max Collector CurrentMax Power Dissipation
EE-SG3-B
4
PCB, Through Hole
0.142 (3.6mm)
940 nm
4 μs
30 V
30V
20 mA
100 mW
4
Panel, Solder, Through Hole
0.142 (3.6mm)
940 nm
4 μs
30 V
-
20 mA
100 mW
4
Panel, Through Hole
0.134 (3.4mm)
940 nm
4 μs
30 V
30V
20 mA
-
4
Through Hole
0.118 (3mm)
940 nm
4 μs
30 V
-
20 mA
-
EE-SG3-B PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :