
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
125mA
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
已出版
1997
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
HTS代码
8541.21.00.95
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
Not Qualified
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率 - 最大
200mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8 Ω @ 10mA, 4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
18.5pF @ 5V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.35nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.125A
漏极-源极导通最大电阻
8Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.2W
场效应管特性
Logic Level Gate
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMGD8000LN,115 PDF数据手册
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- PCN 设计/规格 :