![PBLS4005V,115](https://static.esinoelec.com/200dimg/nexperiausainc-pesd5v0u5bv115-4922.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
100mA 500mA
2
150°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
PBLS4005
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-F6
资历状况
Not Qualified
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
300mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN AND PNP
晶体管类型
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA 5V / 150 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500μA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V 40V
转换频率
300MHz
频率转换
300MHz
最大耗散功率(Abs)
0.3W
电阻基(R1)
47k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max)Frequency - TransitionTransition FrequencyPublishedMoisture Sensitivity Level (MSL)Transistor TypePower Dissipation-Max (Abs)
-
PBLS4005V,115
SOT-563, SOT-666
50V, 40V
300MHz
300 MHz
2009
1 (Unlimited)
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
0.3 W
-
SOT-563, SOT-666
50V, 40V
300MHz
300 MHz
2009
1 (Unlimited)
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
0.3 W
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SOT-563, SOT-666
50V, 40V
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1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
0.3 W
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1 (Unlimited)
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
0.3 W
PBLS4005V,115 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :