表面安装

YES

引脚数

6

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

45 V

Compliant

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6

SMALL OUTLINE

1

PLASTIC/EPOXY

30

150 °C

Yes

100 MHz

BC847BV

RECTANGULAR

NXP Semiconductors

2

Transferred

NXP SEMICONDUCTORS

2.78

包装

Cut Tape

JESD-609代码

e3

无铅代码

Yes

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

子类别

Other Transistors

最大功率耗散

250 mW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

Not Qualified

极性

NPN

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率耗散

250 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

45 V

最大耗散功率(Abs)

0.2 W

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

200

集电极-发射器电压-最大值

45 V

达到SVHC

No SVHC