PUMD12
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Bipolar (Bjt) Array Transistor, Brt, Npn, Pnp, 50 V, 200 Mw, 100 Ma, 80, Sot-363 Rohs Compliant: Yes
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
引脚数
6
Case/Package
SOT-363
50 V
Compliant
包装
Cut Tape
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
200 mW
极性
NPN, PNP
电压
50 V
电流
1 A
功率耗散
200 mW
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
最大集电极电流
100 mA
发射极基极电压 (VEBO)
10 V
高度
1 mm
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
达到SVHC
No SVHC