N82S131F
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IC 512 X 4 OTPROM, 50 ns, CDIP16, Programmable ROM
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
质量
0.25 kg
终端数量
16
Equivalent
POS-60
Melting temperature
183...190 °C
Flux
-
Obsolete
NXP SEMICONDUCTORS
50 ns
512 words
512
75 °C
CERAMIC, GLASS-SEALED
DIP
DIP16,.3
RECTANGULAR
IN-LINE
5 V
包装
reel
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
类型
Soft tin-lead solder Sn/Pb
端子表面处理
TIN LEAD
组成
tin - 60%; lead - 40%
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-GDIP-T16
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
5.25 V
温度等级
COMMERCIAL EXTENDED
电源电压-最小值(Vsup)
4.75 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
512X4
输出特性
3-STATE
内存宽度
4
记忆密度
2048 bit
表格
wire
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
OTP ROM
直径
0.5 mm
N82S131F PDF数据手册
- 数据表 :