规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-3P
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NTE Electronics, Inc
Bag
Active
415 A
-
NTE3310
NTE Electronics
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
FLANGE MOUNT
PLASTIC/EPOXY
700 ns
650 ns
NOT SPECIFIED
150 °C
Yes
RECTANGULAR
1
Active
NTE ELECTRONICS INC
600 ns
5.7
系列
-
操作温度
150°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
子类别
Insulated Gate BIP Transistors
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
100 W
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
最大耗散功率(Abs)
100 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
4V @ 15V, 15A
集电极电流-最大值(IC)
15 A
IGBT类型
-
集电极-发射器电压-最大值
600 V
集极脉冲电流（Icm）
30 A
Td（开/关）@25°C
400ns/500ns
开关能量
-
栅极-发射极电压-最大值
20 V
最大下降时间 (tf)
350 ns