![HEF4070BP](https://res.utmel.com/Images/category/Integrated Circuits (ICs).png)
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Chassis Mount
包装/外壳
TNC In-Line Module
表面安装
NO
引脚数
14
终端数量
14
Box
厂商
Anatech Electronics Inc.
Active
Compliant
DIP, DIP14,.3
IN-LINE
50 pF
PLASTIC/EPOXY
DIP14,.3
-40 °C
85 °C
Yes
HEF4070BP
DIP
RECTANGULAR
Philips Semiconductors
Transferred
PHILIPS SEMICONDUCTORS
4.5
175 ns
系列
-
尺寸/尺寸
5.512 L x 2.835 W (140.00mm x 72.00mm)
JESD-609代码
e4
终端
Through Hole
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最高工作温度
70 °C
最小工作温度
-40 °C
子类别
Gates
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
频率
1.6GHz Center
JESD-30代码
R-PDIP-T14
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
15 V
电源
5/15 V
温度等级
INDUSTRIAL
最大电源电压
15.5 V
最小电源电压
4.5 V
输出电流
2.4 mA
逻辑功能
XOR
输入数量
2
带宽
50MHz
过滤器类型
Band Pass
逻辑IC类型
XOR GATE
最大 I(ol)
0.00036 A
阀门数量
4
插入损耗
2dB
施密特触发器
NO
纹波,纹波
-
高度(最大)
1.250 (31.75mm)
达到SVHC
No SVHC