
BAS16LS
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Description: Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.215A, 100V V(RRM), Silicon, MO-343AA
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Yes
Active
NEXPERIA
DFN1006BD-2, SOD-882BD, 2 PIN
1.25 V
1
1
150 °C
-55 °C
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
SMALL OUTLINE
0.345 W
JESD-609代码
e3
端子表面处理
TIN
应用
GENERAL PURPOSE
附加功能
LOW LEAKAGE CURRENT
端子位置
DUAL
终端形式
NO LEAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-N2
配置
SINGLE
二极管类型
RECTIFIER DIODE
输出电流-最大值
0.215 A
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
100 V
JEDEC-95代码
MO-343AA
最大非代表Pk前进电流
0.5 A
反向电流-最大值
0.5 µA
反向恢复时间-最大值
0.004 µs
反向测试电压
80 V
BAS16LS PDF数据手册
- 数据表 :