![NE85633-T1B-A](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
质量
1.437803 g
12 V
12 V
Compliant
包装
Cut Tape
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
200 mW
额定电流
100 mA
频率
1 GHz
极性
NPN
元素配置
Single
增益带宽积
7 GHz
集电极发射器电压(VCEO)
12 V
最大集电极电流
100 mA
增益
11.5 dB
转换频率
7 GHz
最大击穿电压
12 V
发射极基极电压 (VEBO)
3 V
连续集电极电流
100 mA
宽度
1.5 mm
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
无铅
Lead Free