表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3

SMALL OUTLINE

PLASTIC/EPOXY

NOT SPECIFIED

150 °C

No

2SK2159

RECTANGULAR

Renesas Electronics Corporation

1

Obsolete

RENESAS ELECTRONICS CORP

5.31

2 A

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

GATE PROTECTED

子类别

FET General Purpose Power

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

Not Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2 A

漏极-源极导通最大电阻

0.5 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

4 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2 W