NS32828D-70
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IC 1M X 1, DRAM CONTROLLER, CDIP52, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-52, Memory Controller
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
52
No
Obsolete
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
DIP, DIP52,.6
70 MHz
70 °C
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
DIP
DIP52,.6
RECTANGULAR
IN-LINE
5.5 V
4.5 V
5 V
JESD-609代码
e0
端子表面处理
TIN LEAD
HTS代码
8542.31.00.01
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-CDIP-T52
资历状况
Not Qualified
温度等级
COMMERCIAL
uPs/uCs/外围ICs类型
MEMORY CONTROLLER, DRAM
电源电流-最大值
240 mA
座位高度-最大
5.08 mm
地址总线宽度
20
边界扫描
NO
低功率模式
NO
库存数量
2
组织的记忆
1M X 1
宽度
15.24 mm