
NDB606AL
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Description: TRANSISTOR 48 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, FET General Purpose Power
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Obsolete
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
48 A
1
175 °C
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
SMALL OUTLINE
400 ns
530 ns
ECCN 代码
EAR99
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
漏极-源极导通最大电阻
0.025 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
144 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
400 pF
环境耗散-最大值
100 W
NDB606AL PDF数据手册
- 数据表 :