表面安装

NO

终端数量

18

No

Obsolete

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

DIP, DIP18,.3

125 °C

-55 °C

CERAMIC, GLASS-SEALED

DIP

DIP18,.3

RECTANGULAR

IN-LINE

5 V

JESD-609代码

e0

端子表面处理

TIN LEAD

HTS代码

8542.39.00.01

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-GDIP-T18

资历状况

Not Qualified

电源电压-最大值(Vsup)

15 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

3 V

比特数

8

家人

CMOS

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.08 mm

逻辑IC类型

ENCODER

筛选水平

MIL-STD-883

传播延迟(tpd)

210 ns

宽度

7.62 mm