![5962L8771002VPA](https://static.esinoelec.com/200image/cd35f142a9c5e25662fecb8265730b50.jpg)
5962L8771002VPA
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IC DUAL OP-AMP, 4000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERAMIC, DIP-8, Operational Amplifier
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
8
Obsolete
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
DIP
DIP, DIP8,.3
70 dB
125 °C
-55 °C
CERAMIC, GLASS-SEALED
DIP
DIP8,.3
RECTANGULAR
IN-LINE
0.5 V/us
5 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN LEAD
HTS代码
8542.33.00.01
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
2
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-GDIP-T8
资历状况
Not Qualified
温度等级
MILITARY
建筑学
VOLTAGE-FEEDBACK
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
座位高度-最大
5.08 mm
统一增益 BW-(标准值)
1000
平均偏置电流-最大值 (IIB)
0.001 μA
低偏移
NO
频率补偿
YES
电源电压限制-最大值
32 V
低偏压
NO
微功率
NO
最大偏置电流 (IIB) @25C
0.06 μA
可编程电源
NO
筛选水平
MIL-PRF-38535 Class V
输入失调电压-最大值
4000 μV
宽频
NO
电源
NO
电压增益 - 最小值
25000
总剂量
50k Rad(Si) V
宽度
7.62 mm