规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
Die
供应商器件包装
Die
50A (Tj)
20V
313mW (Tj)
H23030010421M
Shafted
Single Ended
Dynapar
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
Z-FET™
包装
Bulk
零件状态
Obsolete
终端
25 ft Sealed Cable, Side Exit
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
输出电压
5~26 VDC
输出类型
Single Ended
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
110 mOhm @ 20A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1915pF @ 800V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
90.8nC @ 20V
漏源电压 (Vdss)
1200V
Vgs（最大值）
+25V, -5V
场效应管特性
--
输入电压
5~26 VDC
轴承
Yes
知识产权评级
IP66
配套连接器
Not Included