3N205
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-206AF, CASE 20-03, TO-72, 4 PIN
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
No
Obsolete
MOTOROLA INC
CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
0.05 A
1
200 °C
METAL
ROUND
CYLINDRICAL
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBCY-W4
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
操作模式
DUAL GATE, DEPLETION MODE
箱体转运
SOURCE AND SUBSTRATE
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-206AF
DS 击穿电压-最小值
25 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.36 W
反馈上限-最大值 (Crss)
0.03 pF
最高频段
VERY HIGH FREQUENCY BAND