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3N205

型号:

3N205

封装:

-

描述:

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-206AF, CASE 20-03, TO-72, 4 PIN

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • No

  • Obsolete

  • MOTOROLA INC

  • CYLINDRICAL, O-MBCY-W4

  • 0.05 A

  • 1

  • 200 °C

  • METAL

  • ROUND

  • CYLINDRICAL

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    O-MBCY-W4

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    DUAL GATE, DEPLETION MODE

  • 箱体转运

    SOURCE AND SUBSTRATE

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-206AF

  • DS 击穿电压-最小值

    25 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.36 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    0.03 pF

  • 最高频段

    VERY HIGH FREQUENCY BAND

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