底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-78-6 Metal Can

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

60V

2

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/336

已出版

2007

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最大功率耗散

350mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

JESD-30代码

O-MBCY-W8

极性

PNP

功率耗散

350mW

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 1mA 5V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 100μA, 1mA

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

No

RoHS状态

Non-RoHS Compliant