![JAN1N976CUR-1](https://static.esinoelec.com/200dimg/microsemicorporation-jantx1n4625dur1-2543.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
工厂交货时间
14 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
DO-213AA (Glass)
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
1
0.5W
操作温度
-65°C~175°C
包装
Bulk
系列
Military, MIL-PRF-19500/117
已出版
1999
容差
±2%
JESD-609代码
e0
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
END
终端形式
WRAP AROUND
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
引脚数量
2
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
ZENER DIODE
反向泄漏电流@ Vr
500nA @ 33V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1V @ 200mA
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
500mW
阻抗-最大
93Ohm
参考电压
43V
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
43V
最大电压允差
2%
工作测试电流
3mA
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
JAN1N976CUR-1 PDF数据手册
- 数据表 :