![ARF463AP1](https://static.esinoelec.com/200image/75f32a204c57088e1de803cd0b0dfa09.jpg)
ARF463AP1
-
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
No
Transferred
MICROSEMI CORP
TO-247AD
TO-247, 3 PIN
9 A
150 °C
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
FLANGE MOUNT
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN LEAD
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-247AD
DS 击穿电压-最小值
500 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
180 W
最高频段
VERY HIGH FREQUENCY BAND
ARF463AP1 PDF数据手册
- 数据表 :