![MT9VDDT6472HIY-335F2](https://static.esinoelec.com/200fimg/microntechnologyinc-mt9vddt6472hiy335f2-6337.jpg)
MT9VDDT6472HIY-335F2
200-SODIMM
DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte 200SODIMM Tray
规格参数
- 类型参数全选
底架
Socket
包装/外壳
200-SODIMM
引脚数
200
DDR SDRAM
9
已出版
2002
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
200
端子表面处理
GOLD
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
端子位置
ZIG-ZAG
终端形式
NO LEAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
2.5V
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
200
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
2.5V
温度等级
COMMERCIAL
最大电源电压
2.7V
最小电源电压
2.3V
内存大小
512MB
端口的数量
1
速度
333MT/s
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
64MX72
内存宽度
72
记忆密度
4831838208 bit
最高频率
333MHz
访问模式
SINGLE BANK PAGE BURST
长度
67.6mm
座位高度(最大)
3.8mm
宽度
31.75mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT9VDDT6472HIY-335F2 PDF数据手册
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