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MT8VDDT6464HY-335F3

型号:

MT8VDDT6464HY-335F3

封装:

200-SODIMM

数据表:

MT8VDDTyy64H

描述:

DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte 200SODIMM

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 底架

    Socket

  • 包装/外壳

    200-SODIMM

  • 引脚数

    200

  • DDR SDRAM

  • 8

  • 已出版

    2003

  • JESD-609代码

    e4

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    200

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    GOLD

  • 最高工作温度

    70°C

  • 最小工作温度

    0°C

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    2.5V

  • 端子间距

    0.6mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    200

  • 工作电源电压

    2.5V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 最大电源电压

    2.7V

  • 最小电源电压

    2.3V

  • 内存大小

    512MB

  • 端口的数量

    1

  • 速度

    333MT/s

  • 时钟频率

    167MHz

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    8

  • 待机电流-最大值

    0.04A

  • 最高频率

    333MHz

  • 访问时间(最大)

    0.7 ns

  • I/O类型

    COMMON

  • 访问模式

    SINGLE BANK PAGE BURST

  • 长度

    67.6mm

  • 座位高度(最大)

    31.9mm

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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