MT8VDDT6464HDY-40BJ1
200-SODIMM
DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte 200SODIMM Tray
规格参数
- 类型参数全选
底架
Socket
包装/外壳
200-SODIMM
引脚数
200
DDR SDRAM
8
已出版
2003
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
200
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
端子位置
DUAL
电源电压
2.6V
端子间距
0.6mm
工作电源电压
2.6V
温度等级
COMMERCIAL
最大电源电压
2.7V
最小电源电压
2.5V
内存大小
512MB
速度
400MT/s
访问时间
900 ns
数据总线宽度
64b
组织结构
64MX64
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.04A
记忆密度
4294967296 bit
最高频率
400MHz
I/O类型
COMMON
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT8VDDT6464HDY-40BJ1 PDF数据手册
- 数据表 :